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CMP抛光（化学机械抛光）在半导体制造中的应用最为广泛，主要用于平坦化晶圆表面。

在半导体制造中，CMP技术可以用来去除晶圆表面的氧化层、硅化物、金属残留物等杂质，以保证晶体等器件的性能和稳定性。
CMP技术是现代半导体制造中非常重要的一项技术。

在CMP过程中，需要使用一种特殊的液体研磨剂，即CMP抛光液。

常见的抛光液种类有钨CMP抛光液、介质CMP抛光液、铜CMP抛光液、铝CMP抛光液、硅片抛光液、碳化硅晶圆抛光液、硬盘磁头CMP抛光液等。

CMP抛光液的成分是多种化学物质的混合物，其中主要包括磨料、缓冲液、抛光剂和添加剂等。

其中，磨料主要起到去除硅片表面氧化物和金属残留物的作用，缓冲液主要起到调节pH值和维持液体稳定性的作用，抛光剂主要起到润滑和减少表面摩擦的作用，添加剂主要改善cmp抛光液的分散、化学反应性能。